| 題目 | 中性・ラジカル混合TCNQ錯体の物性と強磁場中結晶育成効果の試み |
| 講師 | 黒田規敬 氏 （熊本大学工学部 知能生産システム工学科） |
| 日時 | 11 月 5 日（火）16:30 - 18:00 |
| 場所 | コラボレーションセンター 3階 コラボレーション室 （岡山大学津島キャンパス内 ） |
| 要旨 | カチオンをMとして分子式M2TCNQ3で表されるTCNQ錯体はTCNQ分子がコラム状に堆積した１次元構造を持っている．この物質系の特長は電荷のフラストレーションのために中性的なものとラジカル状態のTCNQ分子が1:2の割合で共存していることである．しかも電子構造的には電子の強いクーロン相関のためにモットハバード型絶縁体となっている．この物質系の電子物性について主として光学的な研究でこれまでに分かったことを紹介する．また中性分子とラジカル分子の配列を変化させるために最近強磁場中での結晶育成を試みているのでその現状も併せて紹介する． |
| 世話人 | 理学部物理学科 松田康弘 (TEL: 086-251-7803） |
