| 題目 | スピン機能材料の電子状態の第一原理計算と物質設計 |
| 講師 | 白井正文 氏 （阪大・基礎工） |
| 日時 | 5 月 22 日（火）16:00 - 18：00 |
| 場所 | コラボレーションセンター３階 コラボレーション室
（岡山大学津島キャンパス内） |
| 要旨 |
近年、スピン機能材料として注目を集めている III-V族希薄磁性半導体
(Ga,Mn)As の強磁性発現機構を、第一原理計算した電子状態をもとに議論する。
とくに、Mn 3d軌道と価電子バンドの主成分であるAs 4p軌道の間の混成の程度が、
Mnスピン間の強磁性的相互作用の強さを決める重要な因子であることが分かる。
この結果を踏まえると、閃亜鉛鉱型金属CrAsと希薄磁性半導体(Ga,Cr)As が、
高い転移温度をもつ強磁性体になることが予測され、
GaAsと調和性のよいスピン機能材料として有望であると期待される。
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| Key words | |
| 世話人 | 理学部物理学科 原田 勲 (TEL: 086-251-7808） |
