| 題目 | 次世代薄膜磁気デバイス実現のための材料設計とナノ構造制御 |
| 講師 | 高橋研 氏 （東北大学 教授） |
| 日時 | 11 月 28 日（木）16:00 - 17:30 |
| 場所 | コラボレーションセンター 3階 コラボレーション室 （岡山大学津島キャンパス内 ） |
| 要旨 | 薄膜磁気デバイスは、その高機能化に伴い、金属学的微細組織をはじめとて、異種金属の積層界面など制御すべき要素がますます多くなってきている。また、積層膜等人工構造体で観測される新奇な物性機能の応用に関して、最適な材料設計に関する研究も不可欠の要素であり、薄膜プロセス技術の開発との歩調をそろえた研究開発努力が、次世代薄膜磁気デバイス実現の鍵である。本講演では、ウルトラクリーンプロセスを基本インフラとした最先端の薄膜作製技術ならびに、従来信じられてきた材料設計に関する常識を、新しい成膜技術の進歩の下で問い直すべく行っている、我々の最新の研究結果について述べる。 |
| 世話人 | 理学部物理学科 河本 修 (TEL: 086-251-7804） |
